可控硅概况可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不只是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、科研以至商业,淄博可控硅调压模块供应商、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有的应用。可控硅从外形上区分主要有螺旋式、平板式和平底式三种。螺旋式应用较多。可控硅工作原理解析可控硅结构原件可控硅有三个极----阳极(A)、阴极(C)和控制极(G),管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,淄博可控硅调压模块供应商,共有三个PN结,与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引入,淄博可控硅调压模块供应商,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。可控硅应用时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。淄博正高电气建立双方共赢的伙伴关系是我们孜孜不断的追求。淄博可控硅调压模块供应商
可控硅模块的控制方法我们都知道,可控硅模块在电子电气行业中非常受欢迎,它是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,可控硅模块的的应用范围十分的广大。可控硅模块众所周知,任何的设备只有正确操作才能发挥它应有的作用,可控硅模块在使用的时候一定要进行有效的控制才能发挥良好的运行性能。下面,就让正高的小编来给您讲讲控制可控硅模块的有效方法。1可控硅模块控制方法:经过输入模块控制接口一个可调的电压或者电流信号,通过调整该信号的大小即可对模块的输出电压大小进行平滑调节,实现模块输出电压从0V至任一点或全部导通的过程,电压或者是电流信号可取自各种控制仪表、计算机D/A输出,电位器直接从直流电源分压等各种方法;控制信号采用0-5V,0-10V,4-20mA三大类十分常见的控制方式。2可控硅模块控制端口和控制线:模块控制端接口有5脚、9脚以及15脚三大类,对应5芯、9芯以及15芯的控制线,使用电压信号的产品只只使用前面五脚端口,别的是空脚,使用电流信号的9脚是信号输入,控制线的屏蔽层铜线要焊接到直流电源地线上,连接的时候不能和别的端子短路,防止不可以正常工作或者是可能烧坏可控硅模块。淄博双向可控硅调压模块分类淄博正高电气公司将以优良的产品,完善的服务与尊敬的用户携手并进!
晶闸管模块的八个优点来源:正高电气日期:2019年09月07日点击数:载入中...晶闸管模块应用于温度调节、调光、励磁、电镀、电解、焊接、稳压电源等行业,也可用于交流电机软起动和直流电机调速。你知道晶闸管模块的优点吗?下面晶闸管生产厂家正高电气来讲解一下晶闸管模块的八大优点。主要优点如下:(1)采用进口方形晶闸管支撑板,使晶闸管模块电压降低、功耗低、效率高、节能效果好。(2)采用进口插片元件,保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。(3)(DCB)陶瓷铜板通过独特的处理和特殊的焊接工艺,保证晶闸管模块的焊接层无空洞,具有良好的导热性能。(4)导热绝缘包装材料具有优异的绝缘和防潮性能。(5)触发控制电路、主电路和热传导底板相互隔离,热传导底板不充电,介电强度≥2500V,保证了安全。(6)通过输入0-10V直流控制信号,可以平滑地调节主电路的输出电压。(7)可手动控制、仪表控制或微机控制。(8)适用于电阻和电感负载。以上是关于晶闸管模块的优点,希望能对您有所帮助。
晶闸管智能模块在电机调速中的应用晶闸管智能模块是新一代电力调控产品,它将晶闸管智能模块和移相触发电路集成为一体,具有使用方便、稳定可靠、节材节能等优点,能降低用户系统的开发及使用成本,主要应用于交直流电动机的调速及稳定电源等领域。一、晶闸管智能模块按主电路形式可分为三相模块和交流模块,下面是晶闸管智能模块的工作特性。1.与单纯的晶闸管电路不同,该模块将相触发电路及控制系统与晶闸管智能模块集成于一体,使其成为一个完整的电力调控开环系统,外加一定的辅助电路可实现闭环控制。2.三相模块主电路交流输入电压范围较宽,且无相序及相数限制,突破了以往整流电路对触发电路要求同步及移相范围等约束,模块内部能自动协调工作。3.控制信号0-10V直流信号,在此范围内,可平滑调节输出电压,控制设为手动或计算机控制。4.可适用多种负载形式,如阻性、感性、容性负载。下面讲解在电动机调速系统中应用晶闸管智能模块应注意的问题基于晶闸管整流模块供电的直流电动机开环调速系统,直流电动机工作室需两路直流电源,一路给电枢回路供电,一路给励磁回路供电,采用该模块设计的几套实际系统经过一年多时间的运行,效果良好。淄博正高电气永远是您身边的行业**!
会对可控硅模块造成损坏,如果要想保护可控硅不受其损坏,就要了解过电压的产生原因,从而去避免防止受损,下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏?以及过电压产生的原因。可控硅模块对过电压非常敏感,当正向电压超过udrm值时,可控硅会误导并导致电路故障;当施加的反向电压超过urrm值时,可控硅模块会立即损坏。因此,需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化,使系统转换太晚,或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现,由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型,如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,对可控硅模块非常危险。开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压,由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因,这些过电压值是正常值的2~10倍以上。一般来说,开闭速度越快,过电压越高,则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。直流侧产生的过电压例如,如果切断电路的电感较大。我公司将以优良的产品,周到的服务与尊敬的用户携手并进!淄博可控硅调压模块供应商
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根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量,可将数字集成电路分为小规模集成(SSI)电路、中规模集成(MSI)电路、大规模集成(LSI)电路、超大规模集成VLSI电路和特大规模集成ULSI)电路。在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。此后,人们强烈地期待着能够诞生一种固体器件,用来作为质量轻、价廉和寿命长的放大器和电子开关。在电子器件的发展史上翻开了新的一页。但是,这种点接触型晶体管在构造上存在着接触点不稳定的致命弱点。在点接触型晶体管开发成功的同时,结型晶体管论就已经提出,但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类型以后,结型晶体管材真正得以出现。此后,人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺点结晶和缺点控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展,各种性能优良的电子器件相继出现,电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。主播形成作为高技术产业的半导体工业。淄博可控硅调压模块供应商
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